qimonda gerettet

der eine nur hier bleibt, falls sich jemand doch aus Europa interessiert, weil plötzlich alle sehen, dass die Gefahr groß ist, dass der Laden asiatisch wird ?

Könnte eine gute Strategie sein, oder ? 

aber wie wir die politiker kennen, verläuft es im sande.

Außerdem möchte keiner die echten preise für speicher zahlen. Das werden wir aber müßen, wenn die asiatischen firmen übrig bleiben und dann monopole sind. 

gruß Michael

http://www.tecchannel.de/news/themen/business/1784681/qimonda_erste_ddr3_module_mit_speicherchips_in_46_nm_technologie/

"Nachdem Qimonda erste Fertigungsmuster von 46-Nanometer-SDRAMs mit Buried-Wordline-Technik angekündigt hat, stellt Samsung nun mit dem K4T1G084QF einen 1-Gigabit-Chip aus der "40-Nanometer-Class"-Produktion vor. Der angeblich besonders kompakte und sparsame Speicherchip, der in der Version K4T1G084QF-HCE7 als DDR2-800-SDRAM mit den Latenzparametern 5-5-5 arbeitet, wurde von Intel bereits zertifiziert (PDF-Datei). Laut Samsung hat Intel auch ein aus den neuen Chips aufgebautes PC2-6400-SO-DIMM für Notebooks zertifiziert, es ist aber noch nicht bei Intel aufgelistet. Auf der Samsung-Webseite taucht der Speicherchip bisher nicht auf, hier ist nur der Vorgänger K4T1G084QE ("E-Die") zu finden.  

Samsung erläutert nicht genau, ab wann die Serienfertigung der 40-nm-Speicherchips anläuft und verrät auch die exakte Die-Größe nicht; Qimonda packt demnächst mit 6F2-BWl-Technik und 46-nm-Fertigung 2 Gigabit auf 55 Quadratmillimeter, Micron schafft mit 6F2-Stack-Technik und 68-nm-Fertigung 1 GBit auf 56 Quadratmillimeter. Kürzlich hat Samsung den kleinsten 4-GBit-Chip der Welt angekündigt, der als DDR3-Baustein mit 50-nm-Technik gefertigt werden soll. In einem Vortrag auf der ISSCC nennt Samsung zu diesem Chip weitere Details: Demnach handelt es sich um ein 56-nm-Produktionsverfahren, die Die-Fläche soll 173,82 Quadratmillimeter betragen. Interessanter Vergleich am Rande: Auf der ISSCC besprechen die Flash-Kooperationspartner Intel und Micron den bereits 2008 angekündigten MLC-NAND-Flash-Chip aus der 34-nm-Fertigung mit nahezu gleicher Fläche von 172 Quadratmillimetern, der mit 32 GBit die achtfache Kapazität des Samsung-SDRAMs erreicht. Ein aktueller 45-nm-Doppelkernprozessor von Intel ist mit 107 Quadratmillimetern deutlich kleiner.

Im Laufe des Jahres will Samsung auch einen 2-GBit-Chip mit DDR3-Schnittstelle in 40-nm-Technik fertigen; diese Ankündigung ist allerdings wenig überraschend, sondern eigentlich zu erwarten. Interessanter ist da schon, dass Samsung auch erwähnt, dass die 40-nm-Technik eine Rolle bei den ersten DDR4-SDRAMs spielen wird."

 Ist mal eine gute Zusammenfassung über die aktuellen Forschungsrichtungen und Technologieniveaus....

wir seitens der Politik noch was erwarten können, die Schnarchnasen haben lange genug Zeit gehabt und nichts ist passiert....

Ich denke in Asien werden auch günstigere Lieferanten gesucht, damit man in Zukunft in der Fertigung Kosten sparen kann