kamen die Bestellungen früher hauptsächlich aus Taiwan, so kommen sie nun aus China.
AIXTRON erfolgreich in China
Aachen, 22. Februar 2007 ? Im ersten Quartal 2007 erhielt AIXTRON aus China mehrere Aufträge im Gesamtwert von über ? 7,5 Mio. für MOCVD*-Depositionsanlagen. Alle Anlagen werden in der zweiten Jahreshälfte installiert und verbucht. Diese Aufträge zeigen, dass sich in China die High-Tech-Industrie langfristig entwickelt und sie eines Tages eine größere Rolle bei der Herstellung von Verbindungshalbleiter-Bauteilen spielen wird.
Alle in Auftrag gegebenen Anlagen sind Nachbestellungen bestehender AIXTRON-Kunden: eine Bestätigung der langfristigen Geschäftsbeziehung und der Zufriedenheit mit den beiden Beschichtungstechniken Planetary Reactor und Close Coupled Showerhead. Es wurde ein Portfolio an unterschiedlichen Produktionsanlagen bestellt, die für die Herstellung blauer und grüner LEDs, aber auch neuartiger, innovativer LEDs auf Galliumnitridbasis eingesetzt werden. Darin enthalten sind auch die beiden in der Produktion bewährten Anlagen CRIUS und AIX 2800G4 HT, die jeweils eine große Kapazität für die Galliumnitridherstellung bieten.
Die CRIUS CCS und die AIX 2800G4 HT Planetary Reactor Anlagen sind AIXTRONs neueste Entwicklungen in der MOCVD-Technik mit einer derzeit im Markt qualifizierten Kapazität von 30x2 und 42x2 Zoll für die Massenproduktion von Galliumnitrid-LEDs.
Dr. Bernd Schulte, Vorstand von AIXTRON, berichtet: ?Nachdem unsere beiden großen Anlagen bei verschiedenen Kunden in kurzer Zeit qualifiziert wurden, bestätigen die wiederholt platzierten Aufträge die neueste Technik. Wir freuen uns, dass uns Kunden die verbesserten Eigenschaften der Anlagen wie erhöhter Durchsatz, kompaktere Standfläche, vereinfachte Wartung, einfachere Handhabung und verbesserte Zuverlässigkeit sowie Reproduzierbarkeit bestätigen. Wir bemerken, dass Kunden rasch begeistert sind und die bereits in der Produktion bewährten AIXTRON CRIUS und G4-Anlagen für die Expansion ihrer LED-Kapazitäten wählen.?
*MOCVD = Metal Organic Chemical Vapor Deposition
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